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針對(duì)旋轉(zhuǎn)機(jī)械的預(yù)防性維護(hù)和日常監(jiān)測(cè),它們是理想的絕緣電阻測(cè)試方法.

如果絕緣材料的情況良好,那么泄漏電流就會(huì)很低,并且最初的測(cè)試會(huì)被電容充電電流和電介質(zhì)吸收電流嚴(yán)重影響.當(dāng)測(cè)試電壓持續(xù)施加時(shí),由于干擾電流的減小,絕緣電阻測(cè)量值會(huì)上升.在好的狀況下測(cè)量絕緣電阻所需的穩(wěn)定時(shí)間取決于絕緣材料的類(lèi)型.

如果絕緣材料狀況不好（受損的,臟的,潮濕的）,泄漏電流就會(huì)恒定的而且非常高,經(jīng)常超過(guò)電容充電電流和電介質(zhì)吸收電流.在這種情況下,絕緣電阻測(cè)試在一個(gè)高電壓下將很快變得穩(wěn)定.

根據(jù)測(cè)試電壓施加的時(shí)間,可以檢驗(yàn)絕緣阻值的變化.這樣就可以評(píng)估出絕緣體的質(zhì)量.這種方法甚至可以在沒(méi)有絕緣測(cè)試記錄的情況下推斷出結(jié)論.盡管如此,在定期檢修計(jì)劃中定期進(jìn)行絕緣電阻測(cè)試并記錄還是合理的方法絕緣電阻測(cè)試儀.
 

電介質(zhì)吸收比(DAR)

對(duì)于某些包含絕緣材料的設(shè)備和裝置來(lái)說(shuō),其吸收電流的下降非常快,絕緣測(cè)量在30秒和60秒后就足以滿(mǎn)足要求.電介質(zhì)吸收比定義如下:

DAR=R60秒絕緣值/R30秒絕緣值

結(jié)果評(píng)估見(jiàn)下表:

基于不同電壓的測(cè)試方法(步進(jìn)電壓測(cè)試)

    污染物的存在(灰塵,污垢等)或絕緣體表面的水汽這類(lèi)問(wèn)題經(jīng)常會(huì)被按時(shí)的絕緣電阻測(cè)試(PI、DAR等)清楚地顯示出來(lái).然而,只施加一個(gè)比介電強(qiáng)度測(cè)試稍低的電壓,絕緣老化或機(jī)械損傷有時(shí)可能會(huì)被上述兩種測(cè)試方法忽略.反之,顯著增加測(cè)試電壓可能引起絕緣薄弱點(diǎn)失效,導(dǎo)致絕緣電阻值大幅下降.

    為使其有效,兩步進(jìn)電壓之間的比例應(yīng)為1至5,且每一步進(jìn)電壓需持續(xù)同樣的時(shí)間(通常為1至10分鐘),雖然仍低于介電強(qiáng)度測(cè)試電壓(2Un+1000V).這種方法測(cè)得的結(jié)果完全不依賴(lài)于絕緣類(lèi)型和溫度,因?yàn)檫@種方法不是基于絕緣材料內(nèi)在阻值測(cè)量的.但是在相同時(shí)間內(nèi)使用不同測(cè)試電壓后,有效減少了讀數(shù),

    第一步進(jìn)和第二步進(jìn)測(cè)得的絕緣電阻阻值下降25%或更多時(shí),表明絕緣材料由于污染物導(dǎo)致絕緣退化絕緣電阻測(cè)試儀.

絕緣放電(DD)測(cè)試法

絕緣放電測(cè)試也被稱(chēng)為再吸收電流測(cè)試,是通過(guò)測(cè)量被測(cè)設(shè)備上絕緣體放電電流的一種方法.

在標(biāo)準(zhǔn)絕緣測(cè)試中,所有三個(gè)電流組成部分(電容充電電流、極化電流和泄漏電流)都存在,極化電流或吸收電流的檢測(cè)可能會(huì)受到泄漏電流的影響.不是在絕緣測(cè)試中試著測(cè)量極化電流,取而代之的是絕緣放電(DD)測(cè)試方法,在絕緣測(cè)試后測(cè)量去極化電流和電容充電電流.

測(cè)量方法如下：先對(duì)被測(cè)設(shè)備充電至穩(wěn)定狀態(tài)(電容充電和極化已完成,只剩下泄漏電流).然后被測(cè)設(shè)備通過(guò)兆歐計(jì)內(nèi)的一個(gè)電阻器放電,并且測(cè)量這個(gè)電流.這個(gè)電流就是總電介質(zhì)放電電流,由電容充電電流和再吸收電流組成.這個(gè)電流是在標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間1分鐘后測(cè)得的電流.這個(gè)電流取決于全部電容和最后測(cè)量電壓.DD數(shù)值的計(jì)算公式如下：

DD=電流1分鐘后/(測(cè)試電壓×電容)

當(dāng)多層次絕緣體其中一層損壞或者污染時(shí),絕緣放電測(cè)試可以確定過(guò)量的放電電流事故.使用抽查或PI和DAR測(cè)試,一個(gè)絕緣缺陷可能被忽略.如果絕緣層中的一層受損了,由于給定的電壓和電容,放電電流可能比較大.個(gè)別層次的時(shí)間常數(shù)將不再匹配它的其他層次,比起一個(gè)為損壞的絕緣體將導(dǎo)致一個(gè)更高的電流值.絕緣層均質(zhì)的絕緣體的DD值將接近于零,而可接受的多層次絕緣體的最大DD數(shù)值不超過(guò)2.下表顯示了根據(jù)獲得的DD值判斷的絕緣情況,絕緣電阻測(cè)試儀.

高阻測(cè)試:使用保護(hù)接線端

當(dāng)測(cè)量高絕緣電阻值(大于1GΩ)時(shí),測(cè)量的準(zhǔn)確性可能會(huì)受到絕緣材料表面的泄漏電流的影響,其原因是濕度和表面污物造成的.由于這些原因,這個(gè)阻值不再非常高,因此比起你要評(píng)估的絕緣電阻值來(lái)說(shuō)可以忽略不計(jì)了.為了消除表面泄漏電流對(duì)絕緣測(cè)試精確度的影響,一些兆歐計(jì)設(shè)置了第三端,也稱(chēng)為保護(hù)接線端.保護(hù)接線端可以分流被測(cè)電路,并在測(cè)試點(diǎn)中的一個(gè)再注入表面電流繞開(kāi)測(cè)試電路
 

第一個(gè)電路中沒(méi)有保護(hù)接線端,同時(shí)測(cè)量泄漏電流I和不需要的電流I1,所以絕緣電阻測(cè)量是不準(zhǔn)確的.

然而第二個(gè)電路只測(cè)量泄漏電流i,連接的保護(hù)接線端將不需要的表面電流I1排出,所以這個(gè)絕緣電阻測(cè)量是正確的.

不是電纜和變壓器的絕緣材料的表層.完全徹底的掌握測(cè)試電流的流過(guò)途徑對(duì)選擇何處設(shè)置連接保護(hù)接線端至關(guān)重要,絕緣電阻測(cè)試儀.
 

如何選擇測(cè)試電壓

上表所示,根據(jù)裝置與設(shè)備的工作電壓推薦的絕緣電阻的測(cè)試電壓(來(lái)自于IEEE43-2000).
另外,這些電氣設(shè)備的數(shù)值在各個(gè)地方和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(IEC 60204,IEC 60439,IEC 60598等)中的定義是十分寬廣.
例如,在法國(guó),標(biāo)準(zhǔn)NFC15-100中規(guī)定測(cè)試電壓值和絕緣電氣最小絕緣電阻(額定電壓50至500V時(shí),測(cè)試電壓50VDC,最小絕緣電阻0.5MΩ).
然而,我們強(qiáng)烈建議聯(lián)系您的電纜/設(shè)備的制造商來(lái)獲悉他們自己推薦的適用測(cè)試電壓,絕緣電阻測(cè)試儀.

測(cè)試安全

測(cè)試前:

A.這個(gè)測(cè)試必須在斷開(kāi)連接的,非流動(dòng)的裝置上進(jìn)行,以確保測(cè)試電壓不會(huì)施加于連接到被測(cè)電路上的其他設(shè)備上.

B.確認(rèn)電路處于放電狀態(tài).可以短接設(shè)備的端口和/或接地連接一個(gè)規(guī)定的時(shí)長(zhǎng)(視放電時(shí)間而定)

C.在易燃易爆場(chǎng)合下,特別防護(hù)是非常必要的,因?yàn)閮x器在放電時(shí)(測(cè)試前和測(cè)試后)可能會(huì)有電火花發(fā)生,測(cè)試中如果絕緣受損也會(huì)發(fā)生電火花.

D.因?yàn)榭赡芎芨叩闹绷麟妷捍嬖?應(yīng)當(dāng)禁止無(wú)關(guān)人員進(jìn)入并且必須穿戴特殊防護(hù)設(shè)備(例如高壓絕緣手套)進(jìn)行操作.

E.只使用合適的電纜進(jìn)行連接并確保它們狀況良好,在最佳案例情境下,不合適的導(dǎo)線將引起測(cè)量誤差,但是更重要的是,可能引起危險(xiǎn)！

測(cè)試后:

在測(cè)試結(jié)束后,絕緣體重累積了一定量的電能,而在電能被放電前,不可以進(jìn)行任何操作.一個(gè)簡(jiǎn)單的安全規(guī)則：對(duì)設(shè)備的放電時(shí)間5倍于充電時(shí)間(最后一次測(cè)試時(shí)間).設(shè)備可以通過(guò)短接兩極和/或接地來(lái)放電.所有CA制造的兆歐計(jì)都裝有內(nèi)部放電電路來(lái)確保安全,可以做到自動(dòng)放電,絕緣電阻測(cè)試儀.